삼성전자, GTC서 HBM4E 최초 공개…엔비디아와 AI 동맹 고도화

삼성전자는 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 'GTC 2026'에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 '베라 루빈(Vera Rubin)' 플랫폼용 메모리 솔루션을 선보인다고 17일 밝혔다.

삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 마련하고 1c D램 공정과 4나노 베이스 다이 설계 기술이 적용된 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 이 회사의 HBM4E는 핀당 16Gbps의 속도와 4.0TB/s의 대역폭을 지원할 예정이다.

패키징 기술력도 소개됐다. 삼성전자는 기존 TCB(열압착 본딩) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상의 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 구리 본딩) 기술을 영상을 통해 공개하며 차세대 HBM 구현을 위한 기술 경쟁력을 제시했다.

특히 삼성전자는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼인 '베라 루빈'에 탑재되는 모든 메모리와 스토리지 공급 역량을 강조했다. '엔비디아 갤러리' 존에서는 ▲루빈 GPU용 HBM4 ▲베라 CPU용 SOCAMM2 ▲서버용 SSD PM1763 등을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시했다.

이 중 SOCAMM2는 LPDDR 기반의 서버용 메모리 모듈로 현재 양산 출하가 시작됐으며, PCIe Gen6 기반의 PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로 채택됐다. 현장에서는 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아의 데이터 액세스 기술인 'SCADA' 워크로드를 직접 시연하기도 했다.

한편, 행사 둘째 날인 17일(현지시간)에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아의 초청으로 발표에 나선다. 송 센터장은 AI 인프라 혁신을 위한 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 공유할 계획이다.

박혜연 기자 phy@datanews.co.kr