SK하이닉스, 초고속 D램 ‘HBM2E’ 본격 양산

“AI·슈퍼컴퓨터 등 4차 산업 주도할 최적의 메모리 솔루션”

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▲SK하이닉스 HBM2E D램 본격 양산의 주역들 / 사진=SK하이닉스


SK하이닉스는 초고속 D램인 ‘HBM2E’의 본격 양산에 들어갔다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 HBM2E 개발 이후 10개월 만에 이룬 성과다.

SK하이닉스의 HBM2E는 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능한 제품으로, 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있는 현존하는 가장 빠른 D램 솔루션이다. 

용량도 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 이전 세대보다 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다.

▲SK하이닉스가 본격 양산하는 초고속 HBM2E D램 / 사진=SK하이닉스


초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기(Deep Learning Accelerator), 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 메모리 솔루션으로 주목받고 있다. 

이밖에도 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 엑사스케일(Exascale) 슈퍼컴퓨터(초당 100경 번 연산 수행이 가능한 고성능 컴퓨팅 시스템)에 채용이 전망된다.

오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 “HBM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것”이라고 말했다.

강동식 기자 lavita@datanews.co.kr