삼성전자, FMS 2026서 업계 최초 3D 메모리 목업 공개

삼성전자는 8월 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에 참가해 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업을 업계 최초로 공개했다고 5일 밝혔다.

zHBM은 AI 가속기 옆에 HBM을 배치하는 기존 방식에서 나아가, AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 구조다. AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 줄여 대역폭과 전력 효율을 높이는 것이 핵심이다.

삼성전자에 따르면 zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 데이터 이동 거리가 짧아지면서 HBM5 대비 전성비는 최대 3배 향상되고, 열 저항은 절반 이상 낮아진다.

zHBM은 고객 맞춤형 설계도 가능하다. 메모리와 AI 가속기 사이의 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 메모리 용량 확장이나 가속기 성능 강화 등 제품 특성에 맞춘 구성이 가능하다는 설명이다.

NAND 분야에서는 zNAND-O가 공개됐다. zNAND-O는 기존 V-NAND의 수직 적층 기술에 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 차세대 고성능 NAND 플래시 솔루션이다. 제품명 끝의 ‘O’는 온디바이스 AI 환경에 최적화된 제품을 의미한다.

삼성전자는 400단 이상의 10세대 V-NAND인 V10 BV-NAND도 공개했다. V10 BV-NAND는 웨이퍼 본딩 기술과 3스택 기술을 적용해 400단 이상의 초고적층 구조를 구현한 제품이다.

V10 BV-NAND는 전 세대인 V9 대비 메모리 집적도를 약 58% 높였다. 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 한 것이 특징이다. 데이터 읽기·쓰기 성능과 입출력(I/O) 속도도 전 세대 대비 향상됐다.

삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763, BM1773 등 차세대 메모리·스토리지 제품도 함께 선보였다.

HBM 분야에서는 HBM4E가 적용된 차세대 AI 플랫폼과 웨이퍼를 전시했다. 또 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용한 HBM5 목업을 공개했다.

LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 제품으로, 메모리 내부에서 연산을 수행해 데이터 이동을 줄이는 제품이다. PM1763은 차세대 기업용 SSD로, 빠른 읽기 속도와 데이터 처리 효율을 앞세운 제품이며, BM1773은 대규모 AI 학습 데이터 저장 수요에 대응하는 초고용량 기업용 SSD다.

삼성전자는 메모리, 로직, 파운드리, 패키징을 함께 보유한 종합반도체(IDM) 기업이라는 점도 강조했다. 제품 설계 단계부터 양산까지 통합 서비스를 제공해 AI 반도체 제품 개발에 대응한다는 계획이다.

박혜연 기자 phy@datanews.co.kr