삼성전자, 시스템반도체에 171조원 투자

파운드리 공정 연구개발·시설투자 가속…2030년까지 133조원 투자계획에 38조원 추가

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▲삼성전자가 13일 평택캠퍼스에서 열린 ‘K-반도체 벨트 전략보고대회’에서 2030년까지 시스템반도체 분야에 대한 추가 투자계획을 발표했다. 사진은 삼성전자 평택캠퍼스 / 사진=삼성전자


삼성전자가 시스템반도체 투자를 대폭 늘린다.

삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 ‘K-반도체 벨트 전략보고대회’에서 2030년까지 시스템반도체 분야에 대한 추가 투자계획을 발표했다.

2019년 4월 시스템반도체 리더십 조기 확보를 위한 ‘시스템반도체 비전 2030’ 발표 당시 수립한 133조 원의 투자계획에 38조 원을 추가해 2030년까지 171조 원을 투자하고 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에 박차를 가한다.

지난 2년 간 삼성전자를 비롯한 반도체 제조기업과 팹리스, 공급망의 핵심인 소재·부품·장비 업체, 우수인재 육성을 담당하는 학계 등 우리나라 반도체 생태계 주요 구성원간의 상호협력이 활성화되며 비전 달성을 위한 기반을 다졌다.

최근 모든 산업영역에서 전례 없는 반도체 부족 사태가 빚어지고 각국 정부가 미래산업의 핵심인 반도체 공급망 유치를 위해 경쟁하는 상황에서 삼성전자의 시스템반도체 투자 확대는 ‘K-반도체’의 위상을 한층 더 높이는 데 기여할 것으로 기대된다.

2022년 하반기 완공될 평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기다. 현존하는 최첨단 기술이 적용된 팹으로, EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.

평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지이자 글로벌 반도체 공급기지로서의 주도적 역할이 더 강화될 전망이다.

삼성전자는 앞으로 ▲차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가고 ▲메모리와 시스템반도체를 융합한 ‘HBM-PIM’ ▲D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 ‘CXL D램’ 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 ‘초격차 세계 1위’ 위상을 강화할 계획이다.

김기남 삼성전자 부회장은 이 날 “한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다”며 “수성에 힘쓰기 보다는 결코 따라올 수 없는 초격차를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장서겠다”고 말했다.

삼성전자는 국내 반도체 생태계의 발전을 위한 상생협력과 지원·투자도 확대한다.

삼성전자는 시스템반도체 생태계 육성을 위해 팹리스 대상 IP 호혜 제공, 시제품 생산 지원, 협력사 기술교육 등 다양한 상생활동을 확대하고 공급망 핵심인 소재·부품·장비업체는 물론 우수인재 육성을 위한 학계와의 협력을 강화할 예정이다.

특히 파운드리 분야는 사업이 커지면 커질수록 국내 팹리스 기업들의 성장 가능성이 커지고, 많은 팹리스 창업이 이뤄지며 전반적인 시스템 반도체 산업의 기술력이 업그레이드되는 부가 효과를 유발한다.

김기남 부회장은 “지금 대한민국의 반도체 산업은 거대한 분수령 위에 서 있고 대격변을 겪는 지금이야 말로 장기적인 비전과 투자의 밑그림을 그려야 할 때”라며 “우리가 직면한 도전이 크지만 현재를 넘어 미래를 향해 담대히 나아갈 것”이라고 말했다. 

강동식 기자 lavita@datanews.co.kr